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CVD氣相沉積的高溫分解反應過程和特點說明

更新時間：2023-06-27      點擊次數：2029
    CVD氣相沉積是一種生產高質量固體薄膜和涂層的強大技術。盡管已廣泛用于現代工業中，但由于它已適應新材料，因此仍正在不斷發展中。如今，通過精確制造2D材料的無機薄膜和可以共形沉積在各種基材上的高純度聚合物薄膜，CVD合成技術正被推向新的高度。

    CVD氣相沉積的高溫分解反應：

    CVD沉積反應里簡單直接的方式就是熱分解反應，其原理主要是固態化合物升溫到一定溫度會分解為固態目標產物和氣態副產物。操作步驟一般是向真空或惰性氣氛下的單溫區管式爐導入反應氣體，將爐溫升至化合物的分解溫度使之發生分解，在基片上沉積得到目標產物。熱分解反應的關鍵在于合適揮發源和分解溫度的選擇，尤其需要特別注意原材料在不同溫度下的分解產物。

    目前常使用的原料有氫化物、羰基化合物和金屬有機化合物等，因其化學鍵的解離能都普遍較小，易分解，分解溫度相對較低，尤其氫化物分解后的副產物是沒有腐蝕性的氫氣。熱分解反應主要適用于金屬、半導體、絕緣體等材料的制備。

    CVD氣相沉積的特點：

    ■采用多層隔板設計，批量處理模壓光學鏡片的碳鍍膜工藝，每爐可放數千個鏡片；

    ■智能化PLC程序升溫程序，真空程序，CVD進氣程序，操作簡單方便；

    ■優化干式真空泵，杜絕油液污染，可選擇國產干式泵和進口干式泵；

    ■智能化CVD進氣控制系統，適應于氮氣、乙炔/甲烷、氬氣、空氣的通入和混合；

    ■先進的密封系統，泄漏率低，長期使用穩定性高。
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